2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[8a-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2017年9月8日(金) 09:00 〜 11:45 A411 (411)

蓮沼 隆(筑波大)

10:00 〜 10:15

[8a-A411-5] 二光子吸収型パルスレーザを用いた薄膜BOX SOI SRAMの特異な線状ソフトエラーに関する研究

井辻 宏章1,2、小林 大輔1,2、川崎 治3、松浦 大介4、成田 貴則4、加藤 昌浩4、石井 茂4、益川 一範4、廣瀬 和之1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研、3.JAXA研開部門、4.三菱重工業(株))

キーワード:ソフトエラー、SOI、SRAM

最近我々のグループが行った重イオン照射試験では、薄膜BOXを有するSOI SRAMにバックバイアスを印加すると、印加しなかった時と比べ、ソフトエラー感応面積が約100倍になった。約100倍増加した時、線状のソフトエラー領域が観測された。本研究では、長い侵入長を実現でき、照射位置を固定できる国内初の二光子吸収型パルスレーザ照射システムを用いて、この異常なソフトエラーのメカニズムに迫る知見を得た。