[8a-C21-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8a-C21-1] Si結晶中にドープされたAsの異なる原子配列構造と深さ分布

〇(M1)小川 達博¹、名取 鼓太郎¹、星井 拓也¹、仲武 昌史²、渡辺 義夫²、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.あいちシンクロトロン光センター)

キーワード：不純物の光電子分光、電気的活性

​ Si中の不純物元素やクラスター構造を観察することは, 半導体デバイスの特性改善への知見となる. 光電子ホログラフィー技術による占有構造の特徴抽出の結果から, Si中のAsは3種類の化学結合状態が存在していることが示されている.今回, 入射光子エネルギーを変化させて軟X線光電子分光測定を行った結果,これらの3状態のAsがSi結晶の極表面付近で顕著に異なる深さ方向分布を持っていることが明らかとなった.