[8a-C21-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8a-C21-2] シリコン同位体周期構造を用いた共注入フッ素・ホウ素と自己拡散の同時観測

〇(M2)木我 亮太郎¹、植松 真司^1,2、伊藤 公平^1,2 (1.慶大理工、2.慶大TCAD研究開発センター)

キーワード：半導体、同位体、過渡的増速拡散

微細化が進むシリコン半導体プロセスにおいて， 極浅接合形成における拡散制御は極めて重要な課題である．Bドーピングに広く用いられるBF₂⁺イオン注入では，Fの存在がBの過渡的増速拡散を抑制することが知られているが，その詳細な機構は明らかでない．本研究では，Si安定同位体をトレーサーとして用いた実験を行うことにより，Si自己拡散と共注入F, B拡散を直接同時測定し，ドーパント拡散に影響を与える点欠陥の挙動を明らかにする．