[8a-C21-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8a-C21-6] HBr中性粒子ビームによるGeエッチング特性の検討

〇野田 周一¹、谷本 陽祐²、尾崎 卓也¹、栗原 秀行²、星野 恭之²、遠藤 和彦^1,3、寒川 誠二^1,2 (1.東北大、2.昭和電工、3.産総研)

キーワード：GeフィンFET、中性粒子ビームエッチング、HBr