[8a-PB4-1~20] 8.3 Plasma deposition of thin film and surface treatment

△ [8a-PB4-6] Fabrication of InN-rich (ZnO)_x(InN)_1-x films on sapphire substrate by sputter epitaxy

〇Nanoka Miyahara¹, Kazuya Iwasaki¹, Shi Liu¹, Hyunwoong Seo¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹, Naho Itagaki¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:(ZnO)x(InN)1-x, sputtering

バンドギャップ制御可能な半導体新材料として，筆者らは組成比制御によりバンドギャップを1.0-3.4 eVの広帯域に渡って可変なZnOとInNの擬2元系混晶(ZnO)_x(InN)_1-x (ZION)を開発している．本講演では，c面サファイア基板上に作製した単結晶ZnO膜をテンプレートとして用いることで格子不整合基板であるサファイア基板上への(ZnO)_0.73(InN)_0.27膜のエピタキシャル成長に成功した結果を報告する．