[8p-A301-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8p-A301-8] Evaluationn of GaN-based THz-QCL structure grown by MOCVD on Si substrate

〇(B)Toshiya Ishiguro^1,2, Sachie Fujikawa³, Ke Wang¹, Noritoshi Maeda¹, Ryuto Machida², Hiroki Fujishiro², Hideki Hirayama¹ (1.RIKEN, 2.Tokyo Univ. of Sciense, 3.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:THz, QCL, MOCVD

LOフォノンエネルギーがGaAs系半導体に比べて3倍程度大きなGaN系半導体を用いることで、未踏周波数5-12THzのQCL実現が期待されている。サファイア基板は温度上昇とともにTHｚ光の吸収が大きくなり、屈折率はGaNに比べて同等と大きいため、十分な光閉じ込めが得られないことがわかってきた。今回、基板リフトオフによってダブルメタル導波路を形成し高い光閉じ込めを実現することを目的として、Si基板上にGaN/AlGaN-QCL構造を作製した。