09:30 〜 11:30 [16a-P4-16] Si基板上GaN縦型デバイスにおける電気特性のドリフト層成長時のV/Ⅲ比依存性 〇浜田 武明1、浦山 雄也1、間瀬 駿1、中村 圭輔1、江川 孝志1 (1.名工大院)