2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年3月14日(火) 09:15 〜 12:00 304 (304)

野口 隆(琉球大)、東 清一郎(広島大)、佐道 泰造(九大)

09:45 〜 10:00

[14a-304-3] エキシマレーザーアニールによる薄膜Geの溶融結晶化とn型不純物活性化

田丸 宏樹1、池上 浩2、東 清一郎1 (1.広大院先端研、2.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード:ゲルマニウム、エキシマレーザー