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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年3月14日(火) 09:15 〜 12:00 304 (304)

野口隆(琉球大)、東清一郎(広島大)、佐道泰造(九大)

09:45 〜 10:00

[14a-304-3] エキシマレーザーアニールによる薄膜Geの溶融結晶化とn型不純物活性化

〇田丸宏樹¹、池上浩²、東清一郎¹ (1.広大院先端研、2.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード：ゲルマニウム、エキシマレーザー