[14a-304-1~10] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

△ [14a-304-4] Poly-Si TFTs with metal source-drain on PI sheet by ELA

〇Taisei Harada¹, Futa Gakiya¹, Yuya Ishiki¹, Tatsuya Okada¹, Takashi Noguchi¹, Kanji Noda², Akira Suwa^2,3, Hiroshi Ikenoue³ (1.Univ. of the Ryukyus, 2.GiGAPHOTON Inc., 3.Dept. of Gigaphoton Next GLP)

Keywords:TFT, ELA, Low temperature Process

エキシマレーザーアニールは、薄膜Si膜にUV光を効果的に吸収させ、溶融加熱できるため有効な結晶化技術である。SiへのUVレーザー光の侵入深さは数nmと非常に浅く、パルスの照射時間が短いため基板底部への熱ダメージが低くなる。得られる低温ポリシリコン膜は、a-Si 膜と比較して高い移動度を有し、ガラス上の小型高性能液晶ディスプレイやOLED駆動TFTに有効である。フレキシブルパネル上の機能化TFTシステムを目指し、ELAによって結晶化させたa-Siを用いて、金属ソース・ドレイン構造のTFTを低温で作製し、その電気的特性を評価した。その後、実際にフレキシブルパネル上にTFTを作製し、その電気的特性を評価した。