[14a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [14a-304-4] ELA 結晶化Si 膜によるフレキシブル基板上のメタルソース・ドレイン構造TFT

〇原田 大成¹、我喜屋 風太¹、伊敷 優哉¹、岡田 竜弥¹、野口 隆¹、野田 勘治²、諏訪 輝^2,3、池上 浩³ (1.琉球大学工学部、2.ギガフォトン(株)、3.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード：TFT、ELA、低温プロセス

エキシマレーザーアニールは、薄膜Si膜にUV光を効果的に吸収させ、溶融加熱できるため有効な結晶化技術である。SiへのUVレーザー光の侵入深さは数nmと非常に浅く、パルスの照射時間が短いため基板底部への熱ダメージが低くなる。得られる低温ポリシリコン膜は、a-Si 膜と比較して高い移動度を有し、ガラス上の小型高性能液晶ディスプレイやOLED駆動TFTに有効である。フレキシブルパネル上の機能化TFTシステムを目指し、ELAによって結晶化させたa-Siを用いて、金属ソース・ドレイン構造のTFTを低温で作製し、その電気的特性を評価した。その後、実際にフレキシブルパネル上にTFTを作製し、その電気的特性を評価した。