[14a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [14a-304-5] 自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTのV_th制御を利用したガラス上のCMOSインバータ

〇大澤 弘樹¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ、多結晶シリコン、CMOSインバータ

自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTから成るCMOSインバータをガラス上に作製した。制御電圧により四端子TFTのV_thを0 V付近に制御することによって、highからlowへの遷移が中間点V_dd/2で起こる良好なCMOSインバータの特性がV_dd = 1.0 Vにおいて得られた。