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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年3月14日(火) 09:15 〜 12:00 304 (304)

野口隆(琉球大)、東清一郎(広島大)、佐道泰造(九大)

11:00 〜 11:15

△ [14a-304-7] 横方向液相成長により作製したSbドープ単結晶GeSn nチャネルTFT

〇(D)岡博史¹、冨田崇史¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：ゲルマニウムスズ、薄膜トランジスタ、液相成長