[14a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [14a-304-8] Cu-MIC を利用した 300℃プロセスによる ガラス上の自己整合平面型メタルダブルゲート低温 poly-Ge TFT

〇内海 大樹¹、佐々木 大精¹、関口 竣也¹、竹内 翔弥¹、大澤 弘樹¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：多結晶ゲルマニウム、薄膜トランジスタ

Geの結晶化のために300℃におけるCu-MICを利用している。非晶質Ge/Cu/非晶質Geの3層構造をスパッタにより形成し、300℃10 hの熱処理によりpoly-Geを形成した。トップゲートメタルは、ボトムゲートメタルに対して自己整合的に形成され、上下のゲートメタルは連結されている。SDには300℃でのAl置換横方向金属化SD(Al-LM-SD)を利用している。全プロセスが300℃以下となっていることが特徴である。その結果、on/off比＝30、(見かけ)移動度25 cm2/Vsを実現した。この温度はプラスチック基板に対して対応可能な温度である。