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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年3月14日(火) 09:15 〜 12:00 304 (304)

野口隆(琉球大)、東清一郎(広島大)、佐道泰造(九大)

11:30 〜 11:45

[14a-304-9] 大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた高移動度n型Ge膜の作製

〇(M1)原田大夢¹、東清一郎¹、花房宏明¹、新良太¹ (1.広大院先端研)

キーワード：大気圧マイクロ熱プラズマジェット、ゲルマニウム