[14a-419-1~10] 6.3 Oxide electronics

[14a-419-6] Analog memory operation of parallel connected Cu-MoO_x-Al resistance change memory

〇Masataka Harada¹, Hideyuki Ando¹, Takashi Morie¹, Reon Katsumura², Atsushi Fukuchi², Masashi Arita², Yasuo Takahashi² (1.Kyushu Inst. Tech., 2.Hokkaido Univ.)

Keywords:resistance change memory, Analog memory

本研究では，多並列接続した抵抗変化型素子(ReRAM)の特性を評価した． ReRAMは，アナログメモリ素子として，超並列処理を実行する脳型AIチッ プへの適用が期待されている．単体素子では，変化特性のばらつきが大 きく，アナログ的な制御が困難であったが，多並列接続にすることで， 単体素子と比べて変化特性のばらつきを抑えられることがわかった．