[14a-F201-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[14a-F201-10] ヴォロンコフモデルへのコメント（３）

〇末澤 正志¹、飯島 嘉明¹、米永 一郎¹ (1.東北大金研)

キーワード：シリコン、点欠陥、結晶成長

シリコンの結晶成長欠陥に関するヴォロンコフモデルは、高品質のシリコン結晶を育成する条件選択に重要な指針を与える。しかし、彼が仮定している熱平衡点欠陥は、ショットキー欠陥及びフレンケル対という矛盾した性質を持っている。実験では、それはショットキー欠陥である。その性質を用いて、ヴォロンコフモデルを書き換えた。そして、空孔と格子間原子の対消滅が有効に起こる成長条件を求めた。