[14a-F201-1~11] 15.7 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

[14a-F201-9] Influence of anisotropic thermal stress during a Si crystal growth on behavior of the secondary defects

〇Eiji Kamiyama¹, Yoshiaki Abe¹, Hironori Banba¹, Hiroyuki Saito¹, Susumu Maeda¹, Alexander Kuliev², Masaya Iizuka³, Yuji Mukaiyama³, Koji Sueoka⁴ (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.STR Group-Soft Impact, Ltd., 3.STR Japan K. K., 4.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:Si crystal growth, thermal stress, anisotropic

育成中の単結晶内に発生する熱応力が点欠陥挙動に影響する．この熱応力が，等方的というより寧ろ異方的であることに着目し，異方性熱応力の場合に対して，第一原理計算により求められたエンタルピーの応力係数を考慮した点欠陥の生成エンタルピーを用いて，育成結晶内の点欠陥挙動を予測した．発表では，実際に引き上げた結晶についてXRTにより得られた二次欠陥分布との比較結果についても報告する．