[15a-412-1~10] 6.2 Carbon-based thin films

△ [15a-412-4] Effect of crystallographic orientation on defect formation in heteroepitaxial diamond from grid-patterned nucleation region

〇Kimiyoshi Ichikawa¹, Hideyuki Kodama¹, Kazuhiro Suzuki², Atsuhito Sawabe¹ (1.Aoyama Gakuin Univ., 2.TOPLAS ENGINEERING Co.)

Keywords:Diamond film, Heteroepitaxial growth, Defect

これまで、Ir/MgO基板上に<100>方位に作製した格子状核発生領域からダイヤモンドをエピタキシャル成長させる事により、従来法と比較して貫通転位密度を2桁程度減少できる事を報告した。また、核発生領域の基板面内方位を<110>方向に変化させた場合、貫通転位の減少に効果がみられない事もわかっており、欠陥形成の設計方位依存性は、不明確である。本研究では、設計方位を変化させた格子状核発生領域を用いて作製したダイヤモンドから、各格子に対して同じように薄片試料を切り出しTEMよる観察を行う事で、格子状核発生領域を用いた成長における欠陥形成の設計方位依存性を明らかにする。