[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-F201-11] 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSiCショットキー障壁ダイオードの評価
パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅩⅠ）

〇山本 秀和¹、潤間 威史¹、佐藤 宣夫¹ (1.千葉工大工)

キーワード：パワーデバイス、SiC、多機能走査型プローブ顕微鏡

多機能走査型プローブ顕微鏡を用いてSiCショットキー障壁ダイオードを評価した。逆バイアス印加による表面電位の増加をケルビンフォース顕微鏡により評価できた。