[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-F201-2] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(2)
ー 常温接合プロセスにおける水素のパッシベーション効果 ―

〇古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.株式会社　SUMCO)

キーワード：エピタキシャルシリコンウェーハ、常温接合貼り合わせ、パッシベーション

我々は,高感度CMOSイメージセンサの残像特性向上を意図して,高ドーズ量クラスターイオン注入基板へエピタキシャル層を常温接合する新規のエピタキシャルウェーハを検討してきた.
今回，プロセス誘起欠陥へのパッシベーション効果を期待できる水素が，酸素と同様にエピタキシャル層直下に高濃度でゲッタリングされるのかどうかについて検討したので報告する．