[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-315-8] SiO₂/Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの閾値電圧に与えるAl₂O₃膜厚の効果

〇久保 俊晴¹、座間 秀昭²、小林 忠正²、江川 孝志¹ (1.名工大、2.アルバック)

キーワード：GaN、ALD、MIS-HEMT

原子層堆積(ALD)によりAl₂O₃膜を成膜した、Si基板上Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTデバイスの電気特性について、初期閾値電圧シフト⊿V_thを低減するため、本研究ではALD-Al₂O₃膜上にさらにプラズマ化学気相成長(PECVD)によりSiO₂膜を成膜した。その結果、Al₂O₃膜の薄膜化に伴う⊿V_thの低減が観測されたため、その結果を報告する。