[15p-P14-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[15p-P14-10] GaNパワートランジスタのためのゲートSiO2膜形成技術の開発

〇前川 拓也¹、小木曽 真一¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、荒井 哲司¹、中川 清和¹、高松 利行²、上野 勝典³ (1.山梨大、2.㈱SST、3.富士電機㈱)

キーワード：絶縁膜、SiO2、GaN