[15p-P3-1~26] 6.3 Oxide electronics

[15p-P3-16] Low temperature growth of Al-doped ZnO thin films by substrate biased sputtering

〇(M1)Kazuki Yuzurihara¹, Kenta Sato¹, Hiroaki Hoshino¹, Kunio Okimura¹, Yoshio Yasumori² (1.Tokai Univ., 2.Tokai Univ. Ctr. Educ. Res. Dev.)

Keywords:AZO thin films

ZnO はワイドバンドギャップE_g = 3.3 eVのため可視光領域で高透過率を有し，AlやGaドープによって10^-4 Ωcm台の低抵抗率を示す透明導電膜として応用が進展している．しかし，実用化に向けて基板温度200℃以下での低温成膜技術が必要であり，スパッタ成膜法等における低温成長の開発が求められている．本研究では，高周波マグネトロンスパッタ(RFMS)法において基板バイアス印加による基板入射イオンエネルギー制御によってAZO薄膜の低温成長を試みた．