[16a-413-1~12] 13.3 Insulator technology

△ [16a-413-7] Electric current conduction in ALD-Al₂O₃ films with O₃ treatment

〇(B)Satoshi Okubo¹, Daisuke Matsumura¹, Atsushi Hiraiwa^2,4, Hiroshi Kawarada^1,2,3 (1.Waseda Univ., 2.RONL, Waseda Univ., 3.KMLMST, Waseda Univ., 4.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:ALD, Al2O3, O3

ALD-Al₂O₃膜はワイドバンドギャップ半導体素子のゲート絶縁膜に有望である。しかし酸化剤にH₂Oを用いて形成したAl₂O₃膜において正負両バイアスにおいてリーク電流が顕著に増加するという問題があった。その絶縁性向上に向けALD成膜後にO₃処理を施すことによりその改善を図った。その結果Alをゲート電極に用いた場合において負バイアス電圧に対するリーク電流を大きく低減させることができ、かつ良好な界面特性を得ることを可能にした。