[16a-413-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [16a-413-7] O₃処理を施した原子層堆積Al₂O₃膜の電気伝導特性

〇(B)大久保 智¹、松村 大輔¹、平岩 篤^2,4、川原田 洋^1,2,3 (1.早大理工、2.早大ﾅﾉ･ﾗｲﾌ、3.早大材研、4.名大未来研)

キーワード：原子層堆積、アルミナ、オゾン

ALD-Al₂O₃膜はワイドバンドギャップ半導体素子のゲート絶縁膜に有望である。しかし酸化剤にH₂Oを用いて形成したAl₂O₃膜において正負両バイアスにおいてリーク電流が顕著に増加するという問題があった。その絶縁性向上に向けALD成膜後にO₃処理を施すことによりその改善を図った。その結果Alをゲート電極に用いた場合において負バイアス電圧に対するリーク電流を大きく低減させることができ、かつ良好な界面特性を得ることを可能にした。