[16a-E206-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-E206-12] ミニマルパッケージプロセスとメタルPVDのハイブリッドプロセスを使ったFan-Out型RDLパッケージ試作

〇岩田 真典¹、万波 徹¹、山内 信義¹、三宅 賢治¹、居村 史人²、クンプアン ソマワン²、原 史朗² (1.PMT、2.産総研)

キーワード：再配線、FOWLP、ミニマルプロセス

本実験はミニマルプロセスによりFan-Out型RDLパッケージの生産サイクルタイム短縮とコスト低減のための試作開発である。Cuシード層形成はプロセス技術が確立している８インチスパッタ装置を使用した。TEGチップをモールド樹脂に埋め込んだ8インチ再構成基板をレーザーくり抜き加工により0.5インチ基板にした後ミニマルハイブリッドプロセスで絶縁層とFan-Out型再配線形成を行い、マニアルプローブにて低抵抗な得られたことを確認した。