[16a-P5-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[16a-P5-15] Integrated Degradation Analysis for SiC Die Attachment Systems subjected to Thermal Cycle Test

〇Mari Yamshita¹, Tatsuhiro Suzuki¹, Sawa Araki¹, Tetsuya Mori¹, Takashi Ogihara², Hidekazu Tanaka², Hisashi Yakumaru³, Satoshi Tanimoto¹ (1.NISSAN ARC, Ltd, 2.Tektronix/Keithley Japan, 3.Hitachi Power Solutions)

Keywords:SiC

前回、焼結ナノAgまたは共晶Au-Geはんだで接合したSiC-SBDダイアタッチが温度レンジ-40℃～250℃の冷熱サイクル試験（TCT）によって劣化して行く過程を、超音波顕微鏡観察（SAT）、シェア強度試験、過渡熱温度上昇計測などの手段を用いて、観察した[1]。今回の講演では前記TCT, 3000 cyclesを終了したサンプルの劣化の態様を詳らかにする。この目的を達成するために透過X線観察や断面SEM等を用いた非破壊・破壊解析を行った。