[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-2] ミラー電子顕微鏡によるCMP加工されたSiCウェハーの潜傷検出とSEM, AFM，FIB-STEM連携による構造評価

〇一色 俊之¹、佐藤 高広²、長谷川 正樹²、宮木 充史²、伊与木 誠人²、山岡 武博²、小貫 勝則²、小林 健二² (1.京都工繊大、2.日立ハイテク)

キーワード：ミラー電子顕微鏡、潜傷、SiC

CMP加工で導入された4H-SiC epi-readyウェハー中の潜傷をミラー電子顕微鏡で検出し，SEM，AFM，FIB-STEM連携で構造評価を行った。光学顕微鏡では検出困難な潜傷であるが，ミラー電子顕微鏡では暗い直線状コントラストで明瞭に検出できた。STEM観察では潜傷に沿って2本の転位群コントラストが観察され，歪領域は深さ20nm以下の浅い領域にとどまっていた。また転位形状は基板オフ上流側と下流側で異なっていた。