[16a-P5-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[16a-P5-3] Dislocation dynamics simulation for shapes of expansion of stacking faults under REDG

〇Hiroki Sakakima¹, Asuka Hatano¹, Satoshi Izumi¹, Akihiro Goryu², Kenji Hirohata² (1.Univ. of Tokyo, 2.Toshiba R&D Center)

Keywords:4H-SiC, stacking fault

4H-SiCバイポーラデバイスで生じるREDG時の転位の移動を転位動力学に基づいたシミュレーションを用いて再現することにより，実験では確認が難しい積層欠陥拡大前の状態と拡大後の状態の関係を明確に予測する手法についての検討を行った。