[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-3] 転位動力学シミュレーションに基づく4H-SiCの積層欠陥形状形成の再現

〇榊間 大輝¹、波田野 明日可¹、泉 聡志¹、牛流 章弘²、廣畑 賢治² (1.東大工、2.東芝研究開発センター)

キーワード：4H-SiC、積層欠陥

4H-SiCバイポーラデバイスで生じるREDG時の転位の移動を転位動力学に基づいたシミュレーションを用いて再現することにより，実験では確認が難しい積層欠陥拡大前の状態と拡大後の状態の関係を明確に予測する手法についての検討を行った。