[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-7] 4H-SiC MOS キャパシタにおけるSiC表面のCF₄エッチングの効果

〇(B)小早川 貴一¹、村岡 幸輔¹、瀬崎 洋^1,2、石川 誠治^2,1、前田 知徳^2,1、吉川 公麿¹、黒木 伸一郎¹ (1.広大ナノデバイス、2.フェニテック)

キーワード：4H-SiC、MOS、CF4エッチング