[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [16p-412-6] ソース不純物濃度がGaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの電気特性に与える影響

〇(D)後藤 高寛¹、満原 学²、星 拓也²、杉山 弘樹²、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工、2.NTT)

キーワード：トンネルトランジスタ、GaAsSb

GaAsSb/InGaAs Type-II ヘテロ構造は組成比を変更し実効バンドギャップを低減することでトンネル確率増大が見込まれることから、トンネルFETのチャネルとして期待されている。今回ソース領域の不純物濃度がTFETの電気特性に与える影響をTCADシミュレーションと実験から検討し、p-GaAsSb/InGaAs縦型TFETのオン電流特性とS.S.値を向上した。