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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 先進パワーデバイスのプロセス技術

[16p-502-1~10] 先進パワーデバイスのプロセス技術

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:30 502 (502)

波多野睦子(東工大)、石田昌宏(パナソニック)、西脇克彦(トヨタ)

15:15 〜 15:30

△ [16p-502-4] 分圧制御酸化によるSiC-DMOSFETゲート絶縁膜の形成

〇小林慶亮¹、清水悠佳¹、島明生¹ (1.日立研開)

キーワード：炭化珪素、ゲート絶縁膜