[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-2] 枚葉スピン方式を用いたフッ硝酸Siエッチングプロセス挙動解析（２）

〇大井上 昂志¹、齋藤 卓²、奥山 敦²、萩本 賢哉²、岩元 勇人² (1.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：枚葉、フッ硝酸、Siエッチ

これまでに、枚葉スピン方式において、フッ硝酸濃度に依存して基板面内のエッチング分布が大きく変わることを報告した。濃度に依存した変化が大きい基板中心部について詳細に調査したところ、HNO₃濃度66%近傍からSiエッチレートが急激に変化することが判明した。当該濃度近傍においてSiの表面状態に変化が起きていると推測し、表面分析およびメカニズム考察を行ったので報告する。