[17a-301-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[17a-301-10] Impact of NO POA on leakage current conduction mechanism of thermally grown SiO2 for 4H-SiC C-face substrate

〇Yuji Kiuchi^1,2, Mitsuru Sometani¹, Dai Okamoto³, Tetsuo Hatakeyama¹, Shinsuke Harada¹, Hiroshi Yano³, Yoshiyuki Yonezawa¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.New Japan Radio co., 3.Univ. Tsukuba)

Keywords:4H-SiC, C-face, NO POA, thermal oxidation, FN current, PF current

4H-SiC熱酸化膜界面特性を改善するために、窒化処理はよく知られている方法であるが、窒化により酸化膜の信頼性指標の一つであるリーク電流は増加し、酸化膜耐圧は低下することが知られている。一方、ドライ酸化により4H-SiC基板上に形成した熱酸化膜のゲートリーク電流には、温度依存性からFN電流に加えて、界面遷移層中の欠陥を介したPF電流の成分も存在することが確認された。窒化によるリーク電流増大の原因として、Si面の熱酸化膜に対してこの欠陥が寄与したので、本研究では窒化処理時間を変えた4H-SiC C面の熱酸化膜に対して、ゲートリーク電流の温度依存性を評価した。