[17a-315-1~15] 8.3 Plasma deposition of thin film and surface treatment

[17a-315-11] Suppressing Si-H₂ bond formation at P/I interface of a-Si:H solar cells

〇Susumu Toko¹, Kazuma Tanaka¹, Takashi Kojima¹, Kimitaka Keya¹, Daisuke Yamashita¹, Hyunwoong Seo¹, Naho Itagaki¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:a-Si:H solar cell, Light-induced degradation, P/I interface

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)太陽電池の解決すべき最重要課題は, 光照射による発電効率低下(光劣化)である. 太陽電池の光安定性は a-Si:H 薄膜中のSi-H₂結合量と負の相関があることが知られている. 本研究ではP層上にI層膜を堆積したサンプルのラマン散乱光強度比I_SiH2/I_SiHのI層膜厚依存性を評価した. この結果よりP/I界面に高密度のSi-H₂結合が形成され, 膜厚の増加と共にSi-H₂結合密度の低い高品質なI層膜が形成されることが分かった.