[17a-315-1~15] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [17a-315-4] フィルタードパルスアーク蒸着法を用いて作製したタングステンカーバイド薄膜の膜質評価

〇磯野 凌¹、針谷 達¹、飯島 佑史¹、須田 善行¹、滝川 浩史¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：タングステンカーバイド、薄膜、アーク蒸着法

本研究では，フィルタードパルスアーク蒸着法を用いてタングステンカーバイド薄膜の作製を行い，作製時の放電特性および作製した膜の膜質の分析を行った。基板にはシリコン，陰極にはバインダとしてコバルトおよびチタンをそれぞれ含んだ二種類のタングステンカーバイドを用いた。XRD分析より，コバルト含有陰極およびチタン含有陰極を用いて作製した膜は，それぞれ，W₂CおよびWC_1-xの結晶相ピークが現れた。