[17a-315-1~15] 8.3 Plasma deposition of thin film and surface treatment

△ [17a-315-4] Characterization of Tungsten Carbide Thin Films Fabricated by Using Filtered Pulse Arc Deposition

〇Ryo Isono¹, Toru Harigai¹, Yushi Iijima¹, Yoshiyuki Suda¹, Hirofumi Takikawa¹ (1.Toyohashi Univ. Technol.)

Keywords:Tungsten carbide, Thin films, Arc deposition

本研究では，フィルタードパルスアーク蒸着法を用いてタングステンカーバイド薄膜の作製を行い，作製時の放電特性および作製した膜の膜質の分析を行った。基板にはシリコン，陰極にはバインダとしてコバルトおよびチタンをそれぞれ含んだ二種類のタングステンカーバイドを用いた。XRD分析より，コバルト含有陰極およびチタン含有陰極を用いて作製した膜は，それぞれ，W₂CおよびWC_1-xの結晶相ピークが現れた。