[17a-E206-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17a-E206-7] A Study on the Ultra-low Contact Resistivity of PtHf Silicide Utilizing Dopant Segregation Process

〇Yuya Tsukamoto¹, Weiguang Zuo¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:silicide, contact resistance, PtHf

前回、我々はn-Siに対するコンタクト抵抗低減を目的として、低い仕事関数を有するHfとの混晶化によりn-Siに対するPtSiの仕事関数低減に関して報告した。今回、不純物偏析プロセスを用いて、コンタクト抵抗低減に関する検討を行ったので報告する。