10:45 AM - 11:00 AM
[17a-E206-8] Influence of Residual Fluorine on Internal Stress of W Thin Films
Keywords:tungsten, CVD, Internal Stress
半導体デバイスの微細化に伴い、タングステン(W)などのメタル材料に対する段差被覆性の良い成膜技術として、化学気相成長法(CVD)を用いたメタル成膜技術が開発された。WのCVD成膜には原料ガスとして主にWF6が使用され、W薄膜中にFが残留することが知られている。そこで本研究ではCVD成膜したW薄膜の内部応力に着目し、残留F濃度との関係を明らかにする。