[17a-E206-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-E206-8] W薄膜の内部応力に対する残留F濃度の影響評価

〇徳田 祥典¹、原田 一範¹、石川 諭¹、今泉 俊介²、高本 聡²、泉 聡志² (1.東芝、2.東大院工)

キーワード：タングステン、化学気相成長法、内部応力

半導体デバイスの微細化に伴い、タングステン(W)などのメタル材料に対する段差被覆性の良い成膜技術として、化学気相成長法(CVD)を用いたメタル成膜技術が開発された。WのCVD成膜には原料ガスとして主にWF₆が使用され、W薄膜中にFが残留することが知られている。そこで本研究ではCVD成膜したW薄膜の内部応力に着目し、残留F濃度との関係を明らかにする。