[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [17p-301-3] 4H-SiC C面上MOS界面特性のウェット酸化による酸化膜成長量依存性にみられる界面欠陥減少過程と膜中欠陥変化過程の速度的差異

〇梶房 裕之¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、MOS、ウェット

4H-SiC C面上MOS界面をウェット酸化によって形成すると、界面欠陥密度D_itは減少するもののMOSFET閾値電圧の安定性が劣化することが知られている。前回の講演会でウェット酸化の際のH₂O分圧によってこれらの特性に大きな違いがみられるを報告したが、その後界面特性の酸化膜成長量依存性を詳細に調査した結果、そこからウェット酸化反応に対する知見が得られたので本講演会で報告する。