[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [17p-301-9] SiC MOS反転層におけるホール効果移動度の低下機構

〇野口 宗隆¹、岩松 俊明¹、網城 啓之¹、渡邊 寛¹、中田 修平¹、黒岩 丈晴¹、喜多 浩之²、山川 聡¹ (1.三菱電機、2.東大工)

キーワード：SiC、反転層移動度、ホール効果移動度

近年SiC MOS反転層におけるホール効果移動度(µ_hall)が検討されており、主にクーロン散乱が支配的であると指摘されている。p型アクセプタ濃度の増加に伴いSiC MOS反転層におけるµ_hallが低下するが、その機構は十分に検討されていない。本研究では、SiC MOS反転層中のMOS界面からの平均的な電子位置に着目しµ_hallの低下機構を検討した。結論として、µ_hallの低下は反転層内の電子がMOS界面に近づくことによるクーロン散乱移動度の低下に基づくことが判明した。