[17p-E206-1~7] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17p-E206-5] Impacts of annealing on interfaces of Al foil / Si junctions by using surface activated bonding

〇Katsuya Furuna¹, Jianbo Liang¹, Moeko Matsubara², Marwan Dhamrin², Yoshitaka Nishio², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.Toyo Aluminium K.K.)

Keywords:surface activated bonding method, Al foil, Si

半導体素子の特性向上には電極の厚膜化が不可欠である。我々は既にSAB法により作製したAl箔/Si接合を評価し、Al箔は金属電極として機能し得ることを見出した。本研究ではAl箔/Si接合の熱処理後の接合界面を評価することによってAl箔/Si接合の耐熱性の検討を行った。