[18p-PB2-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月18日(火) 13:30 〜 15:30 PB (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:30 〜 15:30

[18p-PB2-1] Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性

〇(M1)松本祐二¹、梁剣波¹、重川直輝¹ (1.大阪市大院工)

13:30 〜 15:30

〇乙部翔太¹、山根大輔¹、小西敏文²、佐布晃昭²、飯田慎一²、伊藤浩之¹、石原昇¹、町田克之¹、益一哉¹ (1.東京工業大学、2.NTT AT)

13:30 〜 15:30

〇折原恒祐¹、古賀達也¹、道正志郎¹、伊藤浩之¹、山根大輔¹、小西敏文²、飯田慎一²、石原昇¹、町田克之¹、益一哉¹ (1.東京工業大学、2.NTT-AT)

13:30 〜 15:30

〇古賀達也¹、山根大輔¹、小西敏文²、佐布晃昭²、飯田慎一²、伊藤浩之¹、石原昇¹、町田克之¹、益一哉¹ (1.東京工業大学、2.NTT-AT)

13:30 〜 15:30

〇(B)市川崇志¹、新島宏文¹、古賀達也¹、山根大輔¹、小西敏文²、佐布晃昭²、飯田慎一²、伊藤浩之¹、石原昇¹、町田克之¹、益一哉¹ (1.東工大、2.NTT-AT)

13:30 〜 15:30

〇佐藤光¹、伊藤勝利¹、宇原祥夫¹、斉藤茂¹ (1.東理大工)

13:30 〜 15:30

〇(DC)中家大希¹、荒井哲司¹、上村和貴¹、有元圭介¹、原康祐¹、白倉麻衣¹、山本千綾¹、山中淳二¹、中川清和¹、高松利行² (1.山梨大、2.株式会社 SST)