一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
09:00 〜 09:15
〇白石 悠人1、山崎 翔太1、中山 隆史1 (1.千葉大理)
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09:15 〜 09:30
〇(M1)徳弘 快1、阪本 大樹1、清水 雅弘1、下間 靖彦1、三浦 清貴1、八戸 啓2 (1.京大院工、2.プラウド（株）)
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09:30 〜 09:45
〇河合 宏樹1、中崎 靖1、金村 貴永1、石原 貴光1 (1.東芝メモリ)
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09:45 〜 10:00
〇祖父江 琢哉1、藏本 駿介1、萩原 一樹1、田中 貴久1、内田 建1 (1.慶應大理工)
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10:00 〜 10:15
〇(M2)二村 湧斗1、牧原 克典1、大田 晃生1、池田 弥央1、宮崎 誠一1 (1.名古屋大院工)
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10:30 〜 10:45
〇(M2)牧平 真太朗1、森 伸也1 (1.阪大工)
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10:45 〜 11:00
〇三島 嵩也1、橋本 風渡1、森 伸也1 (1.阪大工)
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11:00 〜 11:15
〇山下 大輝1 (1.阪大院工)
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11:15 〜 11:30
〇服部 淳一1 (1.産総研)
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11:30 〜 11:45
〇甲斐 春貴1、阿部 成海1、熊谷 祐希1、岩村 航2、久保田 弘1、橋新 剛1、吉岡 昌雄2 (1.熊大院自、2.熊大工)
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