シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | 材料・プロセスが切り開く未来半導体デバイス [19p-233-1~12] 材料・プロセスが切り開く未来半導体デバイス 2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:50 233 (233) 大田 晃生(名大)、田岡 紀之(産総研)
シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | ナノエレクトロニクス材料・デバイス研究開発を目指した先端イオン顕微鏡技術 [20p-233-1~10] ナノエレクトロニクス材料・デバイス研究開発を目指した先端イオン顕微鏡技術 2018年9月20日(木) 13:30 〜 18:00 233 (233) 米谷 玲皇(東大)、小川 真一(産総研)
シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | 日韓ジョイントシンポ:ワイドバンドギャップ半導体デバイス [19a-CE-1~6] 日韓ジョイントシンポ:ワイドバンドギャップ半導体デバイス 2018年9月19日(水) 09:00 〜 11:55 CE (センチュリーホール) 加藤 正史(名工大)
シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | 日韓ジョイントシンポ:ワイドバンドギャップ半導体デバイス [19p-CE-1~4] 日韓ジョイントシンポ:ワイドバンドギャップ半導体デバイス 2018年9月19日(水) 13:00 〜 14:45 CE (センチュリーホール) 久保 俊晴(名工大)
シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | Poly-Si TFTのルネサンスと新展開 [20p-144-1~12] Poly-Si TFTのルネサンスと新展開 2018年9月20日(木) 13:30 〜 18:35 144 (4Fロビー) 野口 隆(琉球大)、岡田 竜弥(琉球大)
シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | 強誘電HfO2技術の最新動向 ~プロセス・物性からデバイス・回路応用まで~ [20p-141-1~13] 強誘電HfO2技術の最新動向 ~プロセス・物性からデバイス・回路応用まで~ 2018年9月20日(木) 13:30 〜 18:30 141 (141+142) 山田 智明(名大)、藤井 章輔(東芝メモリ)
シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | アトミックレイヤープロセスの現状と展望 [20p-223-1~11] アトミックレイヤープロセスの現状と展望 2018年9月20日(木) 13:45 〜 18:45 223 (223) 関根 誠(名大)、百瀬 健(東大)、北條 大介(産総研)、唐橋 一浩(阪大)
シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | 窒化物半導体特異構造の科学 ~窒化物プロセス技術の新展開~ [18p-146-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学 ~窒化物プロセス技術の新展開~ 2018年9月18日(火) 13:30 〜 18:00 146 (レセプションホール) 岩谷 素顕(名城大)、熊谷 義直(農工大)
シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | シリカガラスの最前線 [20p-432-1~8] シリカガラスの最前線 2018年9月20日(木) 14:00 〜 18:00 432 (432) 梶原 浩一(首都大)、斎藤 全(愛媛大)
シンポジウム(口頭講演) | シンポジウム | ファンデルワールス積層ヘテロデバイスの最前線 [19p-311-1~8] ファンデルワールス積層ヘテロデバイスの最前線 2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:15 311 (カスケード) 安藤 淳(産総研)、上野 啓司(埼玉大)