[19a-131-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[19a-131-8] 【Highlighted Presentation】Evaluation of Gettering Efficiency in Silicon Wafer by Pulse Photoconductivity Method

〇Takahiro Maeta¹, Susumu Maeda¹, Moriya Miyashita¹, Masao Yoshioka², Shotaro Kuzukawa³, Hiroki Matsuyama³, Kazuhiro Kobayashi³, Takeshi Hashishin³, Hiroshi Kubota³ (1.GlobalWafers Japan, 2.Faculty of Engineering Kumamoto Univ., 3.GSST Kumamoto Univ.)

Keywords:pulse photoconductivity method, gettering, silicon oxide

Siウェーハ製造プロセス，および，半導体デバイス製造プロセスでは金属不純物の低減が求められており，金属不純物の分析感度の向上やSiウェーハへのゲッタリング能力の付与が求められている．現在，パルス光伝導法(PPCM：Pulse PhotoConductivity Method)によるSiウェーハの高感度金属汚染分析の開発を進めており，本報告ではPPCMによるSiウェーハ上の酸化膜の電気伝導率測定結果，および，本手法を応用したゲッタリング能力評価結果を報告する．