[19a-131-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-131-8] 【注目講演】パルス光伝導法によるSiウェーハのゲッタリング能力評価

〇前田 貴弘¹、前田 進¹、宮下 守也¹、吉岡 昌雄²、葛川 翔太郎³、松山 浩輝³、小林 一博³、橋新 剛³、久保田 弘³ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.熊大工、3.熊大院自)

キーワード：パルス光伝導法、ゲッタリング、酸化膜

Siウェーハ製造プロセス，および，半導体デバイス製造プロセスでは金属不純物の低減が求められており，金属不純物の分析感度の向上やSiウェーハへのゲッタリング能力の付与が求められている．現在，パルス光伝導法(PPCM：Pulse PhotoConductivity Method)によるSiウェーハの高感度金属汚染分析の開発を進めており，本報告ではPPCMによるSiウェーハ上の酸化膜の電気伝導率測定結果，および，本手法を応用したゲッタリング能力評価結果を報告する．