[19a-224A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-224A-3] β-Ga₂O₃ MOSフォトダイオードの内部電界評価

〇橋川 誠¹、富澤 三世¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、大石 敏之¹、大島 孝仁¹ (1.佐賀大学、2.タムラ製作所＆ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム

β-Ga2O3 はバンド端吸収が約270 nmから始まるため, 太陽光ブラインド特性を有する光検出素子に応用が期待される．しかしながら, 現在までで報告されている素子はSchottky Barrier Diode (SBD) が多く, 逆方向電圧印加時に漏れ電流が大きいため，アバランシェ増幅がみられない．そこで，金属絶縁体半導体 (MIS) の概念を導入して，漏れ電流を抑制することに成功し，高電界が印加可能となった．今回は，そのダイオードの内部電界をシミュレーションにより推定したので報告する．